（LaAlO_3）_6（Sr_2AlTaO_6）_7単結晶基板上におけるBaHfO_3人工ピンを添加したSmBa_2Cu_3O_y薄膜の超伝導特性

摘要

SmBa_2Cu_3O_y（SmBCO）超伝導薄膜の磁場中超伝導特性の向上手段として基板の選択やBaMO_3（BMO：M＝Zr，Sn，Hf）ナノロッドの導入などがある。BaHfO_3（BHO）は、厚膜時の臨界電流密度(J_c)の低下が少なく、低温において強いピンニングカを持つことが報告されている［1］。REBa_2Cu_3O_y（REBCO）薄膜のJ_cま、REBCOの結晶配向性に依存するため、ミスフィットや基板の構造相転移などの影響を大きく受ける。そこで本研究では、高い配向性かつ磁場中で優れた超伝導特性を持つSmBCO薄膜の作製を行うために、基板には成膜後の降温時に構造相転移が発生しない（LaAl_3）_6（Sr_2AlTaO_6）_7（LSAT）（100）単結晶を使用し、広い温度範囲でエピタキシャル薄膜の作製が可能な低温成膜法（LTG法）を用いた。さらに、BHO人工ピンの導入とその添加量の制御を行い、磁場中超伝導特性についての評価を行った。