一种体硅微机电系统MEMS结构继续正面工艺的方法

摘要

本发明公开了一种体硅微机电系统MEMS结构继续正面工艺的方法，步骤依次为，提供硅片背面已形成深槽的体硅微机电系统MEMS结构，采用光刻胶填充硅片背面的深槽，然后进行正面工艺，释放或去除牺牲层，最后干燥最终结构。本发明适用于在硅片背面体硅结构形成后仍需继续正面工艺的情况。本发明采用常规半导体设备，与半导体工艺兼容，工艺成熟易控，使用成本低，稳定性好，而且工艺操作时间短，适合大批量生产；不需要在微机电系统MEMS芯片上预留特定的吸真空区域，提高芯片面积利用率；大大降低由于正面工艺的扰动造成微机电系统MEMS的悬空结构发生破损的风险，提高成品率。