正面体硅工艺及其在光开关、加速度计中的应用研究

摘要

工艺简单是正面体硅工艺的最大优点,不需要硅-玻璃键合,缩短了工艺流程,并极大的缩短了高温扩散时间(只需0.5~1h),减小了扩散应力对器件的影响,提高了成品率.结构与衬底采用反偏p<'++>-n结隔离,隔离电压350~450V.利用此工艺我们成功的开发了MEMS 1×2光开关和电容式加速度计.