公开/公告号CN103824763B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-08-17
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201210468774.8
申请日2012-11-19
分类号
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人王函
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 09:45:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-08-17
授权
授权
2014-06-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20121119
实质审查的生效
2014-05-28
公开
公开
机译: 用于制造MDL半导体器件的方法,该MDL半导体器件包括具有自对准接触孔的DRAM器件和具有双栅极结构的逻辑器件
机译: 形成自对准硅化物接触孔的方法
机译: 形成自对准硅化物接触孔的方法