公开/公告号CN103904020B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-08-17
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201210567505.7
申请日2012-12-24
分类号H01L21/768(20060101);H01L21/28(20060101);
代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人刘昌荣
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 09:44:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-08-17
授权
授权
2014-07-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20121224
实质审查的生效
2014-07-02
公开
公开
机译: 用于DRAM的CMOS集成电路器件的自对准接触形成方法,包括通过沉积难熔金属以形成金属硅化物区域,使在衬底中形成的接触区域经受硅化物处理。
机译: 通过沉积和去除硅化物层来制造互连接触以在接触孔中获得扩大的底部开口的方法
机译: 用自对准硅化物消除MOSFET器件中的掩埋接触沟槽的方法,该自对准硅化物包括与包括掺杂的硅侧壁的掩埋接触区的硅连接