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金属硅化物及金属硅化物上接触孔的制造方法

摘要

本发明提供一种金属硅化物及金属硅化物上接触孔的制造方法,通过分别采用第一清洗液对所述第二相金属硅化物表面进行第一次后清洗处理,以去除所述第二相金属硅化物表面未反应的第一相金属硅化物以及未反应的金属,并采用第二清洗液对所述第二相金属硅化物表面进行第二次后清洗处理并干燥,以去除第一次后清洗工艺在所述第二相金属硅化物表面形成的球形形貌缺陷,使所述第二相金属硅化物表面形貌平整,均匀性良好,进而在接触孔刻蚀时不会出现刻蚀空洞或刻蚀不到位的情况,从而减少甚至避免了接触孔桥接或接触孔堵塞断路等缺陷,大大提高了产品良率。

著录项

  • 公开/公告号CN106683996B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201710078941.0

  • 发明设计人 徐涛;王卉;陈宏;曹子贵;

    申请日2017-02-14

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人屈蘅

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2022-08-23 10:57:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-01

    授权

    授权

  • 2017-06-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/285 申请日:20170214

    实质审查的生效

  • 2017-06-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/285 申请日:20170214

    实质审查的生效

  • 2017-05-17

    公开

    公开

  • 2017-05-17

    公开

    公开

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