公开/公告号CN106683996B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-01
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201710078941.0
申请日2017-02-14
分类号
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人屈蘅
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 10:57:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-01
授权
授权
2017-06-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/285 申请日:20170214
实质审查的生效
2017-06-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/285 申请日:20170214
实质审查的生效
2017-05-17
公开
公开
2017-05-17
公开
公开
机译: 一种自对准多晶硅化物制造方法,该方法使用材料的平坦化层将多晶硅结构暴露于顺序沉积的金属层上,该金属层反应形成金属硅化物
机译: 薄膜的化学气相沉积例如电介质材料,半导体上的金属(合金)或金属氮化物或硅化物(特别是用于填充深沟槽电容器和接触孔的材料)是在存在硝酰自由基的情况下进行的
机译: 硅化物或锗硅化物层的制造方法,例如形成MOS晶体管时,当将元素沉积在隔离区域上时,需要从隔离区域中去除金属元素和带有另一种金属元素的层