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Investigation of a Self-Aligned Cobalt Silicide Process for Ohmic Contacts to Silicon Carbide

机译：对碳化硅欧姆接触的自对准硅化物过程的研究

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Mattias Ekström; Andrea Ferrario; Carl-Mikael Zetterling;
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年度 2019
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1. Investigation of a Self-Aligned Cobalt Silicide Process for Ohmic Contacts to Silicon Carbide [J] . Ekstrom Mattias, Ferrario Andrea, Zetterling Carl-Mikael Journal of Electronic Materials . 2019,第4期

机译：对碳化硅欧姆接触的自对准硅化物过程的研究
2. Silicon Carbide Vertical JFET with Self-Aligned Nickel Silicide Contacts [J] . Konstantin Vassilevski, Irina Nikitina, Alton B. Horsfall, Materials science forum . 2011,第期

机译：具有自对准硅化镍触点的碳化硅垂直JFET
3. Polysilicon thin-film transistors using self-aligned cobalt and nickel silicide source and drain contacts [J] . Sarcona G.T., Stewart M. IEEE Electron Device Letters . 1999,第7期

机译：使用自对准钴和硅化镍源极和漏极触点的多晶硅薄膜晶体管
4. Silicon Carbide Vertical JFET with Self-Aligned Nickel Silicide Contacts [C] . Konstantin Vassilevski, Irina Nikitina, Alton B. Horsfall, Silicon carbide and related materials 2010 . 2011

机译：具有自对准硅化镍触点的碳化硅垂直JFET
5. High current density stability of ohmic contacts to silicon carbide [D] . Downey, Brian P. 2011

机译：碳化硅欧姆接触的高电流密度稳定性
6. Bendable Single Crystal Silicon Nanomembrane Thin Film Transistors with Improved Low-Temperature Processed Metal-Si Ohmic Contact by Inserting TiO2 Interlayer [O] . Jiaqi Zhang, Yi Zhang, Dazheng Chen, 2018

机译：通过插入TiO2中间层改善低温处理的金属/ n-Si欧姆接触的可弯曲单晶硅纳米膜薄膜晶体管
7. Investigating extremely low resistance ohmic contacts to silicon carbide using a novel test structure [O] . Pan Yue, M. Collins Aaron, Algahtani Fahid, 2014

机译：使用新颖的测试结构研究与碳化硅的极低电阻欧姆接触

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