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公开/公告号CN215268208U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-12-21
原文格式PDF
申请/专利权人 华南理工大学;
申请/专利号CN202023206561.7
发明设计人 李国强;赵利帅;衣新燕;张铁林;欧阳佩东;刘红斌;
申请日2020-12-24
分类号H03H3/02(20060101);H03H9/17(20060101);
代理机构44102 广州粤高专利商标代理有限公司;
代理人何淑珍;江裕强
地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号
入库时间 2022-08-23 03:31:36
机译: 通过电子轰击在任意衬底上沉积单晶硅薄膜的方法和装置
机译: 用于制造绝缘体上硅衬底以及半导体和显示装置的单晶硅衬底具有致密的氢注入区,该氢注入区提供了用于制造硅薄膜的分离区。
机译: 单晶压电薄膜体声波谐振器及其制造方法
机译:用于薄膜体声波谐振器的沉积在Mo电极上的AlN薄膜的性能表征
机译:使用聚合物支撑层集成在任意衬底上的薄膜体声谐振器
机译:具有高机电耦合的硅衬底上的单晶AlGaN体声波谐振器
机译:AlN薄膜体声波谐振器的制作与表征。
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:硅衬底上分子喷射外延生长AlN薄膜的性能研究:在声谐振器中的应用以及硅上集成异质结构的观点
机译:基于具有倾斜c轴取向的alN,ZnO和GaN薄膜的双模薄膜体声波谐振器(FBaR)