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叶芸; 吴雯; 刘婵; 胡光; 张凯; 顾豪爽;
湖北大学,物理学与电子技术学院,湖北,武汉,430062;
薄膜体声波谐振器; 氮化铝; 择优取向; 空腔;
机译:压电/超声波材料:AlN薄膜通过反应性溅射,应用薄膜体弹性波谐振器的制造(FBAR)
机译:Mg和Zr共掺杂对体声波谐振器压电AlN薄膜的影响
机译:用于体声波(BAW)谐振器的压电AlN薄膜
机译:薄膜体声波谐振器中AlN薄膜的纳米机械和压电特性的表征
机译:AlN薄膜体声波谐振器的制作与表征。
机译:具有SU-8 / PDMS支持层的集成压电AlN薄膜用于柔性传感器阵列
机译:AlN薄膜体声波谐振器的制作与表征
机译:基于具有倾斜c轴取向的alN,ZnO和GaN薄膜的双模薄膜体声波谐振器(FBaR)
机译:压电声薄膜谐振器用作生物传感器的薄膜体声波谐振器具有压电陶瓷层,该压电陶瓷层具有压电陶瓷材料,其极性晶体轴相对于基板法线倾斜大约特定的倾斜角度
机译:用于构造射频滤波器的压电谐振器组件,即体声波谐振器,具有生长层,该生长层布置在压电层和铜层之间,其中压电层在铜层上边界
机译:在移动通信设备中用作薄膜体声波谐振器的谐振器包含压电层和设置在下电极和上电极之间的抗穿刺层
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