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具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器

摘要

本发明提供一种具有非c轴优选压电层的薄膜体声波谐振器,包括从下到上依次设置的基底、第一电极、压电层和第二电极,基底与第一电极之间设有反射界面;其中压电层的中间部分位于有源区,压电层包括c轴优选压电层,所述的压电层中还包括非c轴优选压电层,所述的c轴优选压电层的一部分或全部位于非c轴优选压电层的内侧;其中位于内侧的c轴优选压电层被非c轴优选压电层包围,且位于有源区内。本发明通过在压电层设置非c轴优选压电层,从而在压电层能够抑制c轴优选压电层产生的侧向波或是寄生模态的共振,进而提升谐振器的Q值并减小寄生谐振。

著录项

  • 公开/公告号CN110120793A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉衍熙微器件有限公司;

    申请/专利号CN201810111237.5

  • 发明设计人 赵俊武;林瑞钦;

    申请日2018-02-05

  • 分类号

  • 代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人王丹

  • 地址 430205 湖北省武汉市江夏区经济开发区藏龙岛梁山头村惠风同庆花园一期G17-S栋1-2层6室

  • 入库时间 2024-02-19 12:22:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03H9/02 申请日:20180205

    实质审查的生效

  • 2019-08-13

    公开

    公开

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