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机译:通过电子轰击在任意衬底上沉积单晶硅薄膜的方法和装置
公开/公告号FR1449900A
专利类型
公开/公告日1966-05-06
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号FR19650024100
发明设计人 BALKANSKI MINKO;BALKANSKI MINKO;
申请日1965-07-09
分类号C30B23/06;
国家 FR
入库时间 2022-08-23 14:49:51
机译: 单晶碳化硅衬底的表面改性方法,单晶碳化硅薄膜的形成方法,单晶碳化硅衬底和离子注入退火方法,单晶碳化硅半导体衬底
机译: 制造化合物半导体外延晶片的步骤包括:在金属基板上沉积硅薄膜;在硅缓冲层上沉积化合物半导体薄膜;以及使化合物半导体薄膜结晶化
机译: 在绝缘衬底层上制备高涂覆的薄单晶硅层的方法,以及具有薄高质量单晶硅层的半导体器件