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n型SiC单晶的制造方法、由此得到的n型SiC单晶及其应用

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摘要

一种制造n型SiC单晶的方法，所述方法包括：在SiC单晶的晶体生长期间，添加用于获得n型半导体的施主元素氮、以及镓，使得以atm单位表示的氮量大于以atm单位表示的镓量；一种根据这种制造方法得到的n型SiC单晶；以及包括所述n型SiC单晶的半导体器件。

1. n型SiC单晶的制造方法、由此得到的n型SiC单晶及其应用 [P] . 中国专利： CN102325929B . 2015.03.04
2. n型4H-SiC单晶基板和n型4H-SiC单晶基板的制造方法 [P] . 中国专利： CN110872731B . 2022.02.01
3. Production method of n-type SiC single crystal, n-type SiC single crystal obtained thereby and application of same [P] . 美国专利： US9157171B2 . 2015-10-13

机译： n型SiC单晶的制造方法，由此得到的n型SiC单晶及其应用
4. METHOD FOR PRODUCING n-TYPE SiC SINGLE CRYSTAL, n-TYPE SiC SINGLE CRYSTAL PREPARED THEREBY AND USE THEREOF [P] . 日本专利： JP2010189235A . 2010-09-02

机译： n型SiC单晶的制造方法，由此制备的n型SiC单晶及其用途
5. Process for producing sic - single crystal from the n - type, obtained thereby to sic - single crystal vomn - type and its application (7) e request to premature processing or pru [P] . 德国专利： DE112010000867T5 . 2013-01-03

机译：从n型制备sic-单晶的方法，由此制得sic-单晶vomn-型及其应用（7）e]要求过早加工或制备