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同步辐射白光形貌术观察SiC单晶中的微小多型结构

         
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摘要

采用同步辐射白光形貌术观察了6H和4H-SiC单晶片中的微小多型结构.基于透射同步辐射形貌术的衍射几何和晶片的取向,计算了SiC晶体中3种主要多型在Lane像中对应不同反射的成像位置,并与实际结果进行了比较.鉴别出6H和4H-SiC单晶中分别存在着少量的4H-SiC和15R-SiC多型的寄生生长.

著录项

  • 来源
    《功能材料》 |2006年第4期|591-593|共3页
  • 作者

    李现祥; 蒋民华; 田玉莲; 黄万霞; 朱佩平; 董捷; 胡小波; 李娟; 姜守振; 王丽; 陈秀芳; 徐现刚; 王继扬;

  • 作者单位

    山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;

    山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;

    北京高能物理研究所同步辐射实验室,北京100039;

    北京高能物理研究所同步辐射实验室,北京100039;

    北京高能物理研究所同步辐射实验室,北京100039;

    山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;

    山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;

    山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;

    山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;

    山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;

    山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;

    山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;

    山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 衍射实验及数据处理;
  • 关键词

    多型夹杂; 同步辐射白光形貌术; SiC单晶;

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