同步辐射单色光形貌术观察6H-SiC单晶中的微管缺陷

摘要

采用同步辐射单色光形貌术观察了 6H SiC单晶中的微管缺陷 ,发现晶片中Burgers矢量为 1c的螺位错具有较高的密度。此外 ,还观察到对应较大Burgers矢量的微管。基于微管附近的应变场 ,并根据衍射几何 ,模拟计算了一系列具有不同Burgers矢量的微管在形貌像中的直径 。