Silicon carbides ; Crystal growth ; Crystallography ; Solid state physics ; Chromium ; Mathematical analysis ; Etched crystals ; Crystal lattices ; Photomicrography ; Lasers ; Doping ; Zone melting;
机译:用移动溶剂法在6H-SiC上生长4H-SiC
机译:行进溶剂浮区法生长Bi2Sr2Ca1-xPrxCU2Oy单晶
机译:Nd1-xCexBa2Cu3Oy单晶的移动溶剂浮区法生长
机译:用移动溶剂法在6H-SiC上生长4H-SiC晶体
机译:通过行进加热法(THM)了解单晶碲化镉锌(CZT)生产中的生长速率限制
机译:外部静磁场下通过顶晶溶液生长提高SiC晶体生长速率和均匀性的数值研究
机译:行进溶剂浮区法生长Bi2Sr2Ca1-xPrxCu2Oy单晶
机译:用行程溶剂等方法研究单晶碳化硅的生长