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SiC单晶生长炉的压力控制系统设计

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该文通过对SiC单晶生长工艺和设备的研究,重点分析研究了压力对SiC单晶生长的影响,并给出了压力可靠运行参数和方案,满足SiC单晶生长工艺的稳定和实验重复性的要求.

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来源
《电子质量》 |2017年第6期|51-54|共4页
作者
周立平;
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作者单位

中国电子科技集团第二研究所,山西太原030024;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体生长工艺;
关键词
SiC; PVT; 晶体生长; 压力控制;

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