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摘要
第一章 绪论
1.1 SiC的晶体结构
1.2 SiC晶体材料的特性、应用及现状分析
1.3 本论文的意义
第二章 SiC晶体生长工艺对设备的基本要求
2.1 SiC单晶体生长原理
2.2 SiC单晶体生长工艺
2.2.1 净化处理
2.2.2 粉料烧结
2.2.3 籽晶固定
2.2.4 晶体生长
2.3 设备主要技术规范
2.4 设备主要配置与功用
2.5 本章小结
第三章 加热系统的设计
3.1 加热系统的总体设计
3.2 感应加热的设计基础
3.2.1 感应电势
3.2.2 表面效应
3.2.3 临近效应
3.2.4 圆环效应
3.3 感应加热系统的设计
3.3.1 设计所需数据
3.3.2 发热体的外径计算
3.3.3 发热体壁厚与内径计算
3.3.4 感应器内径计算
3.3.5 保温材料和绝缘材料厚度计算
3.3.6 发热体与和感应器高度计算
3.3.7 感应电源功率计算
3.3.8 感应器线圈匝数计算
3.4 本章小结
第四章 加热系统的仿真
4.1 有限元法简介
4.2 感应加热中电磁场的有限元分析
4.3 电磁场在ANSYS软件中的计算方法
4.4 Ansys多物理场耦合分析
4.5 电磁分析模拟
4.5.1 有限元几何模型
4.5.2 定义求解域、施加载荷和边界条件
4.6 电磁场数值模拟结果分析
4.6.1 电流强度对电磁场分布的影响
4.6.2 电流频率对电磁场分布的影响
4.6.3 感应线圈间距对电磁场分布的影响
4.7 生长腔内温度场的有限元分析
4.7.1 热分析有限元模型的建立
4.7.2 石墨坩埚模型对生长腔内温度场的影响
4.7.3 石墨坩埚与线圈的相对位置对温度梯度的影响
4.7.4 优化后的生长腔对温度场的影响
4.8 本章小结
第五章 总结
5.1 实际使用结果
5.2 论文总结
5.3 主要创新点
5.4 对今后工作的设想
致谢
参考文献