法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-11
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B23/00 申请日:20200108
实质审查的生效
2020-07-17
公开
公开
机译: SiC单晶生长坩埚,SiC单晶制造方法和SiC单晶制造装置
机译: 表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
机译: SiC用溶液生长法的SiC单晶制造装置,以及用在用溶液生长法的SiC单晶制造装置中的坩埚