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公开/公告号CN113322510A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-31
原文格式PDF
申请/专利权人 天津理工大学;
申请/专利号CN202110581689.1
发明设计人 胡章贵;王佳楠;
申请日2021-05-27
分类号C30B23/02(20060101);C30B23/06(20060101);C30B29/36(20060101);
代理机构14111 太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人张宏
地址 300384 天津市西青区宾水西道391号
入库时间 2023-06-19 12:24:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-05-16
授权
发明专利权授予
机译: SiC单晶生长装置,SiC单晶生长方法和SiC单晶
机译: SiC单晶生长方法,SiC单晶生长装置和SiC单晶锭
机译: SiC单晶生长装置及SiC单晶生长方法
机译:用于SiC单晶生长的高纯度β-SiC粉末
机译:SiC单晶生长过程中晶种周围SiC多晶成核的抑制
机译:SiC大规模单晶生长技术的趋势-直径100 mm的SiC单晶衬底的开发-
机译:超硅和碳对SiC源材料对物理蒸汽运输方法SiC单晶生长的影响
机译:单片碳化硅(SIC)神经装置的示范
机译:源材料的形态变化对4H-SiC单晶生长界面的影响
机译:热区孔径对通过粒性溶液生长法产生的SiC单晶生长行为的影响
机译:液相外延横向过生长的低缺陷siC材料