形成具有屏蔽电极结构的绝缘栅场效应晶体管器件的方法

摘要

本公开涉及形成具有屏蔽电极结构的绝缘栅场效应晶体管器件的方法。在一个实施方式中，用于形成具有在沟槽区内的绝缘栅电极和绝缘屏蔽电极的晶体管的方法包括形成覆盖在基底上的一次性电介质叠层。该方法还包括形成邻近一次性电介质叠层的沟槽区。当绝缘栅电极被形成以后，该方法包括移除一次性电介质叠层以及然后形成邻近绝缘栅电极的隔板。该方法还包括利用隔板来在绝缘栅电极和基底中形成凹槽区，以及然后在第一凹槽区和第二凹槽区中形成增强区。