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白潇; 程晓曼; 樊剑锋; 蒋晶; 郑灵程; 吴峰;
天津理工大学理学院,天津300384;
天津理工大学教育部显示材料与光电器件重点实验室,天津光电材料与器件重点实验室,天津300384;
有机场效应晶体管; 栅绝缘层; 浓度; PVA; P3HT;
机译:以氟化铜酞菁为活性层和聚合物介电层为栅绝缘层的有机场效应晶体管的性能
机译:P3HT浓度对有机场效应晶体管性能的影响
机译:在柔性衬底上的顶栅架构中,半导体厚度对P3HT有机场效应晶体管中载流子迁移率的影响
机译:介电层厚度对双栅有机场效应晶体管性能的影响
机译:有源层中的柱状结构(PMMA / P3HT / PCBM)对大容量异质结太阳能电池性能的影响。
机译:凹版印刷薄有机电介质的高性能柔性底栅有机场效应晶体管
机译:ZnSCubic:P3HT,ZnSHexa:P3HT和ZnSHexa:P3HT:PVA-Ag本体异质结太阳能电池的制备与表征
机译:聚乙酸乙烯酯(pVa)在水 - 乙醇混合物中的优先溶剂化及其对pVa-膜渗透性能的影响
机译:用于集成电路生产的有机场效应晶体管包括布置在基板上的栅电极,绝缘层和半导体层
机译:半导体器件包括半导体衬底,低浓度掺杂区,具有保护层的栅电极,中间绝缘层,高浓度掺杂区和导电层
机译:集成电路装置电可擦可编程ROM具有在浮栅绝缘层上形成的浮栅导电层,该浮栅绝缘层包括靠近沟槽中的填充区域的变薄部分
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