首页> 外文学位 >Conception et realisation d'un echantillonneur de grande vitesse en technologie HIGFET (transistor a effet de champ avec heterostructure et grille isolee).
【24h】

Conception et realisation d'un echantillonneur de grande vitesse en technologie HIGFET (transistor a effet de champ avec heterostructure et grille isolee).

机译:设计和生产采用HIGFET技术的高速采样器(具有异质结构和隔离栅的场效应晶体管)。

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著录项

  • 作者

    Tazlauanu, Mihai.;

  • 作者单位

    Ecole Polytechnique, Montreal (Canada).;

  • 授予单位 Ecole Polytechnique, Montreal (Canada).;
  • 学科 Condensed matter physics.;Electrical engineering.;Materials science.
  • 学位 Ph.D.
  • 年度 1997
  • 页码 168 p.
  • 总页数 168
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-17 11:48:59

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