形成具有屏蔽电极结构的绝缘栅场效应晶体管器件的方法

摘要

本公开涉及形成具有屏蔽电极结构的绝缘栅场效应晶体管器件的方法。一种用于形成具有在沟槽区中的绝缘栅电极和绝缘屏蔽电极的晶体管的方法包括形成覆盖在基底上的电介质叠层。电介质叠层包括覆盖在基底上的由一种材料构成的第一层和覆盖在第一层上的由不同材料构成的第二层。沟槽区被形成为邻近电介质叠层。当绝缘屏蔽电极形成以后，该方法包括移除第二层并且然后形成绝缘栅电极。栅电极材料的一部分被移除以形成第一凹槽区，并且电介质塞使用第一层作为停止层在第一凹槽区中形成。然后，第一层被移除，并且隔板被形成为邻近电介质塞。第二凹槽区在与隔板自对准的基底中形成。