一种改善先栅极工艺高K栅电介质CMOS可靠性的方法

摘要

本发明一般涉及半导体制造领域中的一种改善NMOS热载流子效应及PMOS负偏置温度不稳定性效应的方法，更确切的说，本发明涉及一种改善先栅极工艺高K栅电介质NMOS热载流子效应及PMOS负偏置温度不稳定性效应的方法。本发明公开了一种改善先栅极工艺高K栅电介质MOS可靠性的方法，通过在先栅极工艺制程中，于多晶硅栅形成后，即在栅极中通过离子注入工艺注入氟离子，经过热处理工艺，在界面处形成稳定的化学键，有效的提高NMOS器件抗HCI效应和PMOS器件抗NBTI效应的性能。