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机译:利用真空栅极电介质对MOSFET进行全栅栅极化,以改善热载流子的可靠性和RF性能
Department of Electronic Science, University of Delhi, New Delhi, India|c|;
Device simulation; RF performance; gate all around (GAA) MOSFET; hot carrier reliability; localized charges; symmetric gate-stack;
机译:具有真空栅极电介质的圆柱形环绕双栅极(CSDG)MOSFET的建模和仿真,以改善热载流子的可靠性和RF性能
机译:基于载流子浓度公式的具有高k栅极电介质的长Ge沟道双栅极(DG)p MOSFET的性能分析
机译:具有真空栅极电介质的栅极材料工程化无结纳米线晶体管(JNT),可提高热载流子的可靠性
机译:围绕MOSFET的非对称真空栅介电肖特基势垒栅可降低双极性并提高热载流子可靠性
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:使用双层门绝缘子在GaN-on-Si垂直沟槽MOSFET中:对性能和可靠性的影响
机译:具有栅极电介质的n-mOsFET的电气性能和可靠性通过不同技术制造