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薄栅CMOS的可靠性模型

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摘要

介绍了两种与栅氧化层失效有关的模型以及用于估计芯片寿命的热阻模型.随着晶体管特征尺寸的减小,现有的栅失效模型不能提供准确的计算和预测,因此提出了新的适用于小尺寸晶体管的栅失效模型.同时提出了用于评价芯片寿命的热阻和结温的估计模型.

著录项

来源
《半导体学报》 |2006年第z1期|257-261|共5页
作者
廖京宁; 郭春生; 刘鹏飞; 吴月花; 李志国;
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作者单位

北京工业大学电子信息与控制工程学院;

北京;

100022 北京工业大学电子信息与控制工程学院;

北京;

100022 北京工业大学电子信息与控制工程学院;

北京;

100022 北京工业大学电子信息与控制工程学院;

北京;

100022 北京工业大学电子信息与控制工程学院;

北京;

100022;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体集成电路（固体电路）;
关键词
TDDB; 热载流子; 热阻; 结温;

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