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M\yrvaR; 王正华;
不详;
硅CMOS集成电路; 非硅氧化物; 栅氧化层; IC;
机译:采用优化的新型绝缘体上硅实现技术的先进的10nm宽度绝缘体上硅三栅晶体管,无需对栅极氧化物进行退火
机译:具有双沟槽栅电极和不同栅氧化层厚度的双沟槽栅发射极开关可控硅(DTG-EST)
机译:通过硅的硝酸氧化(NAOS)法制造的具有10 nm堆叠栅氧化层的超低功率多晶硅TFT
机译:在栅氧化层边缘采用气孔的新型多晶硅TFT降低了栅感应的漏电流
机译:用于纳米级CMOS集成电路的硅,硅锗和硅碳源极/漏极结的低电阻率接触方法。
机译:一种简单绿色红外光谱法定量硅氧酸盐硅氧化物硅氧酸盐硅片未知制造公式的简单开发与验证
机译:超大规模集成金属氧化物半导体栅氧化物应用中金属Ta2O5硅电容器的电容电压特性研究
机译:退火和氧化层厚度对织构硅中“穿透氧化物”注入p sup +离子掺杂分布形状的影响。
机译:集成CMOS集成电路的生物传感器-准备。通过将传感器区域与芯片上的电路隔离,形成栅氧化物电介质层,使用多晶硅:硅层进行蚀刻等。
机译:栅电极多晶硅/栅氧化物叠层覆盖有氟化氧化硅层和栅氧化层的氟化角的衬底
机译:硅@晶圆制造商为了获得高产量-通过氧化硅@盘,蚀刻硅@填充物,与厚氧化层结合并减薄以形成隔垫。硅面积
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