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薄栅氧化; 氢退火; CMOS;
机译:先进CMOS ULSI电路制造过程中薄栅氧化物退化的分析
机译:一氧化硅在富硅氧化物层退火过程中在硅纳米簇形成中的作用-蒙特卡罗模拟
机译:氢在其等离子体电解氧化过程中氧化铝陶瓷层在铝合金中的形成中的作用
机译:用于多金属层CMOS工艺的薄栅氧化物中氢退火的作用
机译:层状双氢氧化物:I.设计合成。二。插层多金属氧酸盐的催化作用。
机译:氧化和还原退火对Ge / La2O3 / ZrO2栅叠层电性能的影响
机译:双多金属(W / WNX / Poly-Si)栅电极CMOS晶体管的特性
机译:栅氧化层厚度对硅栅CmOs辐射硬度的影响
机译:用多金属栅电极制造半导体器件以基本防止高温退火过程中金属层和多晶硅层之间的界面反应的方法
机译:具有栅氧化层薄层的低压CMOS晶体管和具有栅氧化层厚层的高压CMOS晶体管的形成方法
机译:确定穿过薄栅氧化膜的隧道中有效栅氧化层厚度和临界栅氧化层厚度的方法
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