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IEEE International Reliability Physics Symposium
IEEE International Reliability Physics Symposium
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1.
Bias-temperature degradation of pMOSFETs: mechanism and suppression
机译:
PMOSFET的偏差劣化:机制和抑制
作者:
Makabe M.
;
Kubota T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
2.
Temperature effect on the reliability of ZrO/sub 2/ gate dielectric deposited directly on silicon
机译:
关于直接涂在硅沉积的Zro / Sub 2 /栅极电介质可靠性的温度影响
作者:
Wen-Jie Qi
;
Nieh R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
3.
Short and long-term stability problems of Hall plates in plastic packages
机译:
塑料包装馆长的短期和长期稳定性问题
作者:
Manic D.
;
Petr J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
4.
Analysis of evolution to and beyond quasi-breakdown in ultra-thin oxide and oxynitride
机译:
超薄氧化物和氮氧化物中拟粒度和超出拟粒度的进化分析
作者:
Okandan M.
;
Fonash S.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
5.
Role of hydrogen anneal in thin gate oxide for multi-metal-layer CMOS process
机译:
用于多金属层CMOS工艺的薄栅氧化物中氢退火的作用
作者:
Lee Y.-H.
;
Nachman R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
6.
Conduction processes in Cu/low-K interconnection
机译:
Cu / Low-K互连的传导过程
作者:
Bersuker G.
;
Blaschke V.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
7.
Lifetime prediction of IGBT modules for traction applications
机译:
牵引应用IGBT模块的寿命预测
作者:
Ciappa M.
;
Fichtner W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
8.
Trends in silicon germanium BiCMOS integration and reliability
机译:
硅锗BICMOS集成与可靠性趋势
作者:
Dunn J.
;
Harame D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
9.
Breakdown and degradation issues and the choice of a safe load line for power HFET operation
机译:
故障和劣化问题以及功率HFET操作安全负载线的选择
作者:
Dieci D.
;
Menozzi R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
10.
Effect of Ti insertion between Cu and TiN layers on electromigration reliability in Cu/(Ti)/TiN/Ti layered damascene interconnects
机译:
Cu和TiN层在Cu /(Ti)/ Ti / Ti层镶嵌型镶嵌互连中电迁移可靠性的影响
作者:
Abe K.
;
Tokitoh S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
11.
Quantitative thermal probing of devices at sub-100 nm resolution
机译:
亚100nm分辨率下设备的定量热探测
作者:
Li Shi
;
Ohmyoung Kwon
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
12.
Reliability characterization of thermal micro-structures implemented on 0.8 /spl mu/m CMOS chips
机译:
在0.8 / SPL MU / M CMOS芯片上实现的热微结构的可靠性表征
作者:
Sheng L.Y.
;
de Tandt C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
13.
Microanalysis of VLSI interconnect failure modes under short-pulse stress conditions
机译:
短脉冲应力条件下VLSI互连失效模式的微分分析
作者:
Banerjee K.
;
Dae-Yong Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
14.
MEMS reliability in a vibration environment
机译:
MEMS在振动环境中的可靠性
作者:
Tanner D.M.
;
Walraven J.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
15.
Hot carrier reliability of lateral DMOS transistors
机译:
横向DMOS晶体管的热载体可靠性
作者:
ODonovan V.
;
Whiston S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
16.
A model for evaluating cumulative oxide damage from multiple plasma processes
机译:
一种评估多等离子体过程累积氧化橡粉的模型
作者:
Noguchi K.
;
Matsumoto A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
17.
Failure analysis and stress simulation in small multichip BGAs
机译:
小多芯片袋中的故障分析与应力模拟
作者:
Moore T.
;
Jarvis J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
18.
Analysis of detrap current due to oxide traps to improve flash memory retention
机译:
氧化物疏水阀引起的脱轨电流分析,提高闪存保持
作者:
Yamada R.
;
Mori Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
19.
Bias and temperature stress reliability of InGaP/GaAs HBTs
机译:
INGAP / GAAS HBT的偏置和温度应力可靠性
作者:
Rezazadeh A.A.
;
Bashar S.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
20.
Analysis of hot-carrier-induced degradation in MOSFETs by gate-to-drain and gate-to-substrate capacitance measurements
机译:
通过栅极 - 漏极和栅极 - 基板电容测量分析MOSFET中热载波引起的降解的分析
作者:
Hsu C.T.
;
Lau M.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
21.
Channel-width dependent hot-carrier degradation of thin-gate pMOSFETs
机译:
薄栅极PMOSFET的通道宽度相关热载波劣化
作者:
Lee Y.-H.
;
Wu K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
22.
One time programmable drift antifuse cell reliability
机译:
一个时间可编程漂移反熔丝单元可靠性
作者:
Candelier P.
;
Villani N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
23.
MEMS reliability in shock environments
机译:
MEMS在休克环境中的可靠性
作者:
Tanner D.M.
;
Walraven J.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
24.
The role of copper in electromigration: the effect of a Cu-vacancy binding energy
机译:
铜在电迁移中的作用:Cu空空间结合能的影响
作者:
Tammaro M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
25.
Field acceleration for oxide breakdown-can an accurate anode hole injection model resolve the E vs. 1/E controversy?
机译:
氧化氧化物故障的现场加速 - 可以确定阳极孔注入模型解决E与1 / E争议吗?
作者:
Alam M.A.
;
Bude J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
26.
CMOSFET characteristics induced by moisture diffusion from inter-layer dielectric in 0.23 um DRAM technology with shallow trench isolation
机译:
由浅沟槽隔离的0.23μmDRAM技术中的层间电介质中的水分扩散诱导的CMOSFET特性
作者:
Sung-Kye Park
;
Moon-Sik Suh
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
27.
Effect of W coating on microengine performance
机译:
W涂层对微能性能的影响
作者:
Mani S.S.
;
Fleming J.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
28.
Hot carrier induced degradation in deep submicron MOSFETs at 100/spl deg/C
机译:
在100 / SPL DEG / C时,热载体在深亚微米MOSFET中引起降解
作者:
Li E.
;
Rosenbaum E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
29.
Nontactile reliability testing of a micro optical attenuator
机译:
微光衰减器的无触觉可靠性测试
作者:
Rembe C.
;
Aschemann H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
30.
Localizing power to ground shorts in a chips-first MCM by scanning SQUID microscopy
机译:
通过扫描鱿鱼显微镜将芯片 - 第一MCM中的接地短路定位电源
作者:
Vanderlinde W.E.
;
Cheney M.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
31.
High performance deep-submicron n-MOSFETs by nitrogen implantation and in-situ HF vapor clean
机译:
高性能深亚微米N-MOSFET通过氮气植入和原位HF蒸汽清洁
作者:
Jiann Heng Chen
;
Tan Fu Lei
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
32.
Silicon technology directions in the new millennium
机译:
新千年的硅技术方向
作者:
Ning T.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
33.
Experimental analysis of gate oxide degradation-existence of neutral trap precursor, single and multiple trap-assisted-tunneling for SILC mechanism
机译:
中性捕集前体,单和多阱辅助隧穿栅极氧化物降解存在的实验分析
作者:
Yamada R.
;
Yugami J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
34.
Reliability of optical fiber Bragg grating sensors at elevated temperature
机译:
光纤布拉格光栅传感器在高温下的可靠性
作者:
Sennhauser U.
;
Frank A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
35.
Reliability assessment through defect based testing
机译:
基于缺陷的测试可靠性评估
作者:
Lisenker B.
;
Mitnick Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
36.
ESD robustness of smart-power protection structures evaluated by means of HBM and TLP tests
机译:
通过HBM和TLP测试评估的智能电源保护结构的ESD稳健性
作者:
Meneghesso G.
;
Santirosi S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
37.
Experimental evidence for voltage driven breakdown models in ultrathin gate oxides
机译:
超薄栅极氧化物中电压驱动击穿模型的实验证据
作者:
Nicollian P.E.
;
Hunter W.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
38.
Tunneling current characteristics and oxide breakdown in P+ poly gate PFET capacitors
机译:
P +多栅极PFET电容器中的隧道电流特性和氧化物分解
作者:
McKenna J.M.
;
Wu E.Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
39.
Investigation of ultra-thin gate oxide reliability behavior by separate characterization of soft breakdown and hard breakdown
机译:
通过单独表征软咬伤和硬击穿的超薄栅极氧化物可靠性行为的研究
作者:
Pompl T.
;
Wurzer H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
40.
Pulsed measurements and circuit modeling of a new breakdown mechanism of MESFETs and HEMTs
机译:
MESFET和HEMTS的新击穿机制的脉冲测量和电路建模
作者:
Zanoni E.
;
Meneghesso G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
41.
Experimental data and statistical models for bimodal EM failures
机译:
双峰EM故障的实验数据和统计模型
作者:
Fischer A.H.
;
Abel A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
42.
Quantitative projections of reliability and performance for low-k/Cu interconnect systems
机译:
低K / Cu互连系统的可靠性和性能的定量投影
作者:
Banerjee K.
;
Mehrotra A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
43.
Generation of hot carriers by secondary impact ionization in deep submicron devices: model and light emission characterization
机译:
深度亚微米器件中的二次冲击电离产生热载体:模型和发光表征
作者:
Marchand B.
;
Blachier D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
44.
Electromigration lifetime enhancement for lines with multiple branches
机译:
具有多个分支的线路的电迁移寿命增强
作者:
Dion M.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
45.
Neutron-induced boron fission as a major source of soft errors in deep submicron SRAM devices
机译:
中子诱导的硼裂变作为深亚微米SRAM器件中软误差的主要来源
作者:
Baumann R.C.
;
Smith E.B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
46.
Temperature dependence of soft breakdown and wear-out in sub-3 nm SiO/sub 2/ films
机译:
软衰弱的温度依赖性和磨损在Sub-3 nm SiO / sub 2 /薄膜中
作者:
Suehle J.S.
;
Vogel E.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
47.
Multi parameter method for yield analysis and reliability assessment
机译:
多参数方法,用于收益分析与可靠性评估
作者:
Mitnick Y.
;
Lisenker B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
48.
Early stage hot carrier degradation of state-of-the-art LDD N-MOSFETs
机译:
早期热载体的最先进的LDD N-MOSFET降低
作者:
Manhas S.K.
;
de Souza M.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
49.
Single contact optical beam induced currents (SCOBIC)-a new failure analysis technique
机译:
单触点光束诱导电流(Scobic)-A新的故障分析技术
作者:
Chin J.M.
;
Phang J.C.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
50.
Quasi-breakdown in ultra-thin SiO/sub 2/ films: occurrence characterization and reliability assessment methodology
机译:
超薄SiO / Sub 2 /薄膜中的准分解:发生表征和可靠性评估方法
作者:
Bruyere S.
;
Vincent E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
51.
Process and layout dependent substrate resistance modeling for deep sub-micron ESD protection devices
机译:
深层微米ESD保护装置的工艺和布局依赖性基板电阻建模
作者:
Zhang X.Y.
;
Banerjee K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
52.
Charge pumping technique for the evaluation of plasma induced edge damage in shallow S/D extension thin gate oxide NMOSFETs
机译:
用于评估浅S / D延伸薄栅极氧化物NMOSFET中等离子体诱导边缘损伤的泵送技术
作者:
Chung S.S.
;
Chen S.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
53.
Improved reliability prediction through reduced-stress temperature cycling
机译:
通过减压温度循环提高可靠性预测
作者:
Cory A.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
54.
Leakage and breakdown reliability issues associated with low-k dielectrics in a dual-damascene Cu process
机译:
双镶嵌铜工艺中与低k电介质相关的泄漏和击穿可靠性问题
作者:
Tsu R.
;
McPherson J.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
55.
Transmission line model testing of top-gate amorphous silicon thin film transistors
机译:
顶门非晶硅薄膜晶体管的传输线模型测试
作者:
Tosic N.
;
Kuper F.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
56.
Reliability studies of bent-beam electro-thermal actuators
机译:
弯曲梁电热致动器的可靠性研究
作者:
Long Que
;
Jae-Sung Park
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
57.
Anode hole injection versus hydrogen release: the mechanism for gate oxide breakdown
机译:
阳极孔注射与氢释放:栅极氧化术机构
作者:
Wu J.
;
Rosenbaum E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
58.
The role of the spacer oxide in determining worst-case hot-carrier stress conditions for NMOS LDD devices
机译:
间隔氧化物在确定NMOS LDD器件的最坏情况热载体应力条件下的作用
作者:
King E.E.
;
Lacoe R.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
|
2000年
59.
Electrostatic discharge and high current pulse characterization of epitaxial-base silicon-germanium heterojunction bipolar transistors
机译:
外延硅锗异质结双极晶体管的静电放电和高电流脉冲表征
作者:
Voldman S.
;
Juliano P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
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2000年
60.
A new data retention mechanism after endurance stress on flash memory
机译:
闪存耐久性后的新数据保留机制
作者:
Kameyama H.
;
Okuyama Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
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2000年
61.
On-chip probes for silicon defectivity ranking and mapping
机译:
用于硅缺陷排名和映射的片上探针
作者:
Zanchi A.
;
Zappa F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
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2000年
62.
A study of implant damage induced thin oxide film expansion during photoresist dry etching
机译:
植入物损伤诱导薄氧化膜膨胀在光致抗蚀剂干蚀刻期间的研究
作者:
Kuang-Peng Lin
;
Kai-Ming Ching
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
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2000年
63.
Analysis of oxide breakdown mechanism occurring during ESD pulses
机译:
ESD脉冲期间发生氧化物分解机制的分析
作者:
Leroux C.
;
Andreucci P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
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2000年
64.
Detection of thin oxide (3.5 nm) dielectric degradation due to charging damage by rapid-ramp breakdown
机译:
通过快速斜坡击穿的充电损坏,检测薄氧化物(3.5nm)电介质降解
作者:
Hook T.B.
;
Harmon D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
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2000年
65.
Evidence for recombination at oxide defects and new SILC model
机译:
在氧化物缺陷和新Silc模型中重组的证据
作者:
Ielmini D.
;
Spinellii A.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
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2000年
66.
TDDB improvement in Cu metallization under bias stress
机译:
偏压应力下Cu金属化的TDDB改进
作者:
Noguchi J.
;
Ohashi N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
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2000年
67.
Electrical probing of deep sub-micron ICs using scanning probes
机译:
使用扫描探针电气探测深次微米IC
作者:
Krieg K.
;
Qi R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
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2000年
68.
Simulation and experimental study of temperature distribution during ESD stress in smart-power technology ESD protection structures
机译:
智能电力技术ESD保护结构中ESD应力温度分布的仿真与实验研究
作者:
Esmark K.
;
Furbock C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Reliability Physics Symposium》
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2000年
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