机译:锗注入技术用于先进CMOS晶体管的多晶硅栅极工程
机译:感应膜厚度对双栅多晶硅离子敏感场效应晶体管感应特性的影响
机译:采用65 nm CMOS工艺评估高k /金属栅和SiON /多晶硅栅MOSFET的1 / f噪声特性
机译:具有双多晶硅栅电极的低功率和高速基于Hf的门控CMOS FET
机译:将超薄(1.6-2.0 nm)RPECVD堆叠的氧化物/氮氧化物栅极电介质集成到双多晶硅栅极亚微米CMOSFET中。
机译:使用由纳米压印光刻技术定义的硅纳米线阵列改善双栅晶体管传感器的感测特性
机译:全围双多晶硅纳米线薄膜晶体管特征