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在屏蔽的栅极场效应晶体管中形成多晶硅层间电介质的结构和方法

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摘要

如下所述形成一种屏蔽的栅极沟槽FET。在第一导电类型的硅区域(204)中形成沟槽(202)，该沟槽(202)包括通过屏蔽电介质(206)与硅区域(204)绝缘的屏蔽电极(208)。沿屏蔽电极(208)的上表面形成包括热氧化物层(210)和共形电介质层(212)的多晶硅层间电介质(IPD)(214)。至少顺着上部沟槽(202)侧壁形成栅极电介质(216)。在沟槽中形成栅电极(218)，使得栅电极通过IPD与屏蔽电极绝缘。

著录项

公开/公告号CN101800245B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-03-27

原文格式PDF
申请/专利权人飞兆半导体公司;
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申请/专利号CN201010118650.8
发明设计人罗伯特·赫里克;迪安·E·普罗布斯特;弗雷德·塞西诺;
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申请日2006-08-04
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/423(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构11240 北京康信知识产权代理有限责任公司;
代理人余刚
地址美国缅因州
入库时间 2022-08-23 09:13:23

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-03-27

授权

授权
2010-09-29

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20060804

实质审查的生效
2010-08-11

公开

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1. 在屏蔽的栅极场效应晶体管中形成多晶硅层间电介质的结构和方法 [P] . 中国专利： CN101800245B . 2013.03.27
2. 在屏蔽的栅极场效应晶体管中形成多晶硅层间电介质的结构和方法 [P] . 中国专利： CN101800245A . 2010-08-11
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