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陶江; 赵铁民; 张国炳; 王阳元; 汪锁发; 李永洪;
北京大学微电子学研究所;
中国科学院微电子中心;
北京市有色金属研究总院;
TiSi2; 多晶硅; 自对准技术; MOSFET;
机译:TiSi_2薄膜中C49-C54转变的结构研究
机译:2-氨基苯酚和4-(二甲基氨基)肉桂醛衍生的新型钴(Ⅲ)配合物的合成,光谱研究,晶体结构和电化学性质:通过逐层化学沉积法形成纳米尺寸的复合薄膜
机译:XPS和GISAXS通过聚苯乙烯/钛酸四丁酯/氧化铝复合薄膜中的相分离和渗滤形成的表面层的微观结构研究
机译:利用场辅助横向结晶的栅结构减少的多晶硅薄膜晶体管的电学特性
机译:硅化物和器件结构对有源矩阵液晶显示器用多晶硅薄膜晶体管的特性和电路性能的影响。
机译:采用无注入技术的全栅TiN / Al2O3堆叠结构的低温多晶硅纳米线无结器件
机译:用于研究纳米结构薄膜材料在磁场中的张量电阻特性的自动化软件和硬件复合体
机译:从固溶体中蒸发出ZrO2mgO复合复合薄膜的工艺参数相关光学和结构特性
机译:通过镍或钴薄膜制备稳定的硅化钛(TiSi_2)
机译:具有具有包含C49或C54结构的TiSi_2的布线层的半导体器件
机译:形成导电多晶硅线和底栅薄膜晶体管的方法以及导电多晶硅线和薄膜晶体管
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