公开/公告号CN113206145A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-03
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN202110436194.X
申请日2021-04-22
分类号H01L29/40(20060101);H01L29/417(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙);
代理人敖欢
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 12:05:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-05
授权
发明专利权授予
机译: 具有改善的热载流子注入抗扰性的多栅极半导体器件
机译: 制造能够改善热载流子注入的半导体装置的方法
机译: 通过在Teos衬里沉积之前或之后执行的氮注入程序来改善热载流子寿命的方法