LDMOS热载流子注入效应安全工作区的研究

摘要

安全工作区(SOA)是MOSFET器件设计中的一个关键参数.传统CMOS在衬底电流-栅极电压曲线上只出现一个衬底电流峰值,该峰值可直接反映出热载流子注入(HCI)效应最强的位置,因此可以容易地给出其SOA;而对于横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件,由于Kirk效应的发生,造成其衬底电流峰值不明显,此时的衬底电流已经不能再完全反映HCI效应的强弱,单纯使用Hu模式或衬底电流模式对SOA测试和分析都不合适.针对发生严重Kirk效应的LDMOS,此处提出一套更合理的HCI SOA测试方法,该方法既能节省测试时间,同时准确性又高.