安全工作区

摘要： 二极管的反向恢复特性在IGCT-MMC中起着重要的作用.首先介绍快恢复二极管的反向恢复特性,然后在IGCT-MMC拓扑中介绍快恢复二极管的开关行为,最后搭建适用于IGCT-MMC测试的双脉冲实验平台,并对比了3种商业化快恢复二极管产品的反向恢复特性.最终的测试结果表明,快恢复二极管的反向恢复峰值电流和功率与di/dt呈现线性关系,并且在高温下的测试结果要高于常温.而在相同的di/dt和温度条件下,不同的快恢复二极管在IGCT-MMC中反向恢复峰值电流和功率存在差异,在实际应用中需要根据二极管的安全工作区对di/dt进行合理设计.

摘要： 功率器件作为电力电子装置的核心器件,在设计及使用过程中如何保证其可靠运行,一直都是研发工程师最为关心的问题。功率器件除了要考核其电气特性运行在安全工作区以内,还要对器件及系统的热特性进行精确设计,才能既保证器件长期可靠运行,又充分挖掘器件的潜力。而对功率器件及整个系统的热设计,都是以器件及系统的热路模型为基础来建模分析的,本文对IGBT模块的等效热路模型展开基础介绍,所述方法及思路也可用于其他功率器件的热设计。

摘要： 安世半导体,分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家,近日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。近日推出的PSMNR 51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件,它树立了25 V、0.57mΩ的新标准。该市场领先的性能利用安世半导体独特的NextPowerS3技术实现,并不影响最大漏极电流(ID(max))、安全工作区(SOA)或栅极电荷QG等其他重要参数。

摘要： 功率MOSFET因其输入阻抗大、开关速率快、工作频率高以及丰富的封装形式、较大的电压及导通电阻选择范围等优势,广泛应用于电源、通信等不同类型的电力电子变换电路。但功率MOSFET并非完美的开关器件,温度敏感的特征决定使用者必须考虑其热效应对器件性能的影响。本文基于功率MOSFET安全工作区分析了关键参数的特点,阐述了寄生电容及热阻特性,研究了温度对相关参数的影响。

摘要： 集成门极换流晶闸管(IGCT)因其功率容量大、通态压降低及浪涌电流大等优势在冶金传动、船舶驱动、直流输电等领域具有巨大的应用潜力.通过优化P基区掺杂分布、使用质子辐照及配套新型门驱等关键技术增强了IGCT门极载流子抽取效率,研制出了一款直径为91 mm的5 kA/4.5 kV IGCT.此处研究了该器件的阻断、通态及关断特性,采用Silvaco TCAD仿真与试验测试方法分析证实了门极载流子抽出增强技术(CEET)提升了IGCT器件的安全工作区,并通过地面斩波及逆变应用验证了器件的可靠性.

摘要： 功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的热不稳定现象,限制了MOSFET的安全工作区.为得到符合实际的安全工作区,建立了一种分析模型,综合考虑了电流温度系数、热阻等因素,分析解释热不稳定产生条件,通过与实验数据的对比,证明了模型的正确性,得到了更符合实际的安全工作区.%The thermal instability of power metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) limits the safe operation area of MOSFET. An analytical model is developed to explain this type of thermal instability. A thermal instability model based on the positive temperature coefficient of the leakage current and thermal resistance can predict the occurrence of thermal instability. Through the comparison of experimental data, the correctness of the model is verified and a more realistic safe operation area is obtained.

摘要： 华虹半导体有限公司日前宣布,其第二代0.18μm 5V/40V BCD工艺平台已成功量产,该平台具有导通电阻低、高压种类全、光刻层数少等优势,对于工业控制应用和DC-DC转换器等产品是理想的工艺选择。第二代0.18μm 5V/40V BCD工艺平台40V DMOS击穿电压达到52V,其导通电阻低至20mOhm.mm2,达到该节点领先工艺水平,可提高产品的驱动能力,减小芯片面积,扩大高压管安全工作区(Safe-Operation-Area,SOA),保证产品的高可靠性。该工艺平台最少光掩膜层数为18层。该工艺平台提供丰富的可选择器件,包括高阻、电容、齐纳(Zener)二极管、肖特基二极管等。

摘要： 在本届PCIM亚洲2017展上,三菱电机以＂创新功率器件构建可持续未来＂为主题,展出的功率器件应用范围跨越五大领域,包括变频家电、铁道牵引及电力传输、电动汽车、工业应用和新能源发电,致力为客户提供高性能及低损耗的产品,其中第7代IGBT模块更首次作全电压、全封装及全系列展出。变频家电市场在变频家电应用方面,三菱电机展出三款碳化硅功率器件,分别是第一次亮相的全碳化硅DIPIPMTM和碳化硅SBD，另外还有混合／全碳化硅DIPPFCTM。

摘要： 本文提出了一种新型空穴旁路TIGBT器件。在传统TIGBT的基础之上，新结构采用槽型发射极并在金属发射极下引入一层P+空穴旁路区。仿真结果表明，新结构有效地抑制寄生晶闸管的闩锁效应，具有宽正向偏置安全工作区和高的闩锁电流以及更好的温度稳定性。此外，新型TIGBT器件中所有的杂质注入都不需要额外的掩模版，为器件的制造提供了方便。

摘要： 节能灯、电子镇流器的早期失效,经常体现在三极管的损坏上.随着国内节能灯、电子镇流器设计及生产工艺控制水平的提高,人们已经对节能灯、电子镇流器用三极管的损坏机理达成了共识:最终损坏是功率击穿,即加在三极管上的电压、电流超过了三极管的功率容限,即安全工作区(SOA).本文探讨了灯用三极管瞬态工作状况研究及节能灯电路智能在线检测

摘要： 该文根据双根型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）的通断特性提出其开关特性的测试方法，测试并给出国营七七七厂生产的ＧＪＩ２Ｄ双极型静电感应晶体的开关参数，曲线和反偏安全工作区，将ＧＪＩ２Ｄ同国外的双极型晶体管以及功率场效应管加以比较。

摘要： 本发明涉及一种弯曲机(1)，其包括工作区图像检测设备(2)。纵向延伸部(5)和横梁(6)的运动方向形成工作平面(32)，工作平面(32)限定前部工作室和操纵室(33)和有限的后部机器室(34)，后部机器室(34)特别地由此被封闭。在工作室和操纵室(33)中并且在机器工作台(4)上方，在横梁的纵向延伸部(9)的中心部分中设置有图像检测设备(2)，该图像检测设备(2)连接至显示装置(11)，该显示装置(11)被指定用于显示检测区(10)的检测图像。该图像检测设备(2)设置在横梁衬里(12)中，并且包括两个图像检测装置(16)，每个图像检测装置(16)在机器工作台(4)的方向上检测部分(19)。

摘要： 本发明涉及一种客户端系统、管理服务器、工作区环境设置方法和工作区环境设置程序。一种瘦客户端系统，包括：多个虚拟桌面环境服务器，每个虚拟桌面环境服务器包括虚拟桌面环境，在所述虚拟桌面环境中，在虚拟机中产生工作区环境；以及管理服务器，管理所述虚拟桌面环境和所述虚拟桌面环境服务器的设置，其中，所述管理服务器包括：OS排序单元，产生OS排序结果的信息，所述OS排序结果的信息是通过按照没有其OS与要新创建的虚拟机的OS不同的虚拟机的顺序对所述虚拟桌面环境服务器进行排序来获得的，以及VM创建单元，基于所述OS排序结果信息，通过向没有具有所述不同OS的虚拟机的虚拟桌面环境服务器给予优先，来确定要在其中创建所述虚拟机的所述虚拟桌面环境服务器。

摘要： 方法包括产生指示操作可及区的工作区体积。方法还包括使工作区体积参考图像采集装置的图像采集参考系，并且图像采集装置采集图像数据。该方法还包括确定在工作区体积内的图像数据的可及工作区部分。在一些实施例中，方法还包括确定在工作区体积之外的图像数据的不可及部分。在其他实施例中，方法还包括显示图像数据的可及工作区部分，而不显示图像数据的不可及部分。在其他实施例中，方法还包括显示代替图像数据的不可及部分的虚假图形。

摘要： 本发明涉及一种弯曲机(1)，其包括工作区图像检测设备(2)。纵向延伸部(5)和横梁(6)的运动方向形成工作平面(32)，工作平面(32)限定前部工作室和操纵室(33)和有限的后部机器室(34)，后部机器室(34)特别地由此被封闭。在工作室和操纵室(33)中并且在机器工作台(4)上方，在横梁的纵向延伸部(9)的中心部分中设置有图像检测设备(2)，该图像检测设备(2)连接至显示装置(11)，该显示装置(11)被指定用于显示检测区(10)的检测图像。该图像检测设备(2)设置在横梁衬里(12)中，并且包括两个图像检测装置(16)，每个图像检测装置(16)在机器工作台(4)的方向上检测部分(19)。

摘要： 本发明涉及一种客户端系统、管理服务器、工作区环境设置方法和工作区环境设置程序。一种瘦客户端系统，包括：多个虚拟桌面环境服务器，每个虚拟桌面环境服务器包括虚拟桌面环境，在所述虚拟桌面环境中，在虚拟机中产生工作区环境；以及管理服务器，管理所述虚拟桌面环境和所述虚拟桌面环境服务器的设置，其中，所述管理服务器包括：OS排序单元，产生OS排序结果的信息，所述OS排序结果的信息是通过按照没有其OS与要新创建的虚拟机的OS不同的虚拟机的顺序对所述虚拟桌面环境服务器进行排序来获得的，以及VM创建单元，基于所述OS排序结果信息，通过向没有具有所述不同OS的虚拟机的虚拟桌面环境服务器给予优先，来确定要在其中创建所述虚拟机的所述虚拟桌面环境服务器。

摘要： 形成于同一工作区中的下拉晶体管和通道晶体管的驱动电流能力可基于不同的应变水平进行调整，该不同的应变水平通过在该工作区中提供至少一嵌埋半导体合金实现，以使该工作区具有简化的总体几何组态。因此，可基于最小沟道长度以及具有简化组态的该工作区形成静态RAM单元，从而避免传统上通过显着变更晶体管宽度调整该下拉晶体管和通道晶体管之驱动电流比例的复杂器件中常见的严重产量损失。

摘要： 一种用于测量并报告工作区内大气分析物水平的系统和方法。该系统包括：(i)一个远距离放置的气体分析物传感器，(ii)一个连接到所述传感器并限定一个内腔的管道，通过所述内腔，传感器与工作区流体连通，以及(iii)一个风扇，该风扇与所述管道内腔密封地流体连通，以通过内腔将气体成分从工作区连续地移出并使之与传感器可操作地结合。该方法包括如下步骤：(a)将所述管道的远端置于工作区中，(b)开启风扇，以将气体成分通过所述管道从工作区连续地移出并使之与传感器可操作地结合，和(c)利用传感器测量并报告工作区内分析物的水平。

摘要： 本发明公开了一种确定H桥模块的安全工作区的方法和一种确定级联型多电平变换器的系统安全工作区的方法，所述确定H桥模块的安全工作区的方法包括：获取所述H桥模块的开关器件、二极管和电容的特征参数；获取所述开关器件的安全工作边界条件；根据所述开关器件、电容和二极管的特征参数，以及所述开关器件的安全工作边界条件获取所述开关器件的模块安全工作区；获取所述二极管的模块安全工作区；根据所述开关器件的模块安全工作区和所述二极管的模块安全工作区的交集获取所述H桥模块的安全工作区。由此，可以精确地对器件特性进行描述，从而准确地确定器件在变换器中的安全工作范围。

摘要： 本发明公开了一种计及热电交互的柔直系统IGBT安全工作区确定方法，这种方法针对现有技术无法准确计算柔直系统IGBT安全工作区，导致IGBT选型方法存在粗放式、大裕量、多冗余的不足，通过理论计算得到计及热电交互的IGBT安全工作区，考虑了IGBT安全边界电流与最大电压尖峰值的限制，以及IGBT最高结温的限制。利用本方法计算得到的IGBT安全工作区，能够在保证系统安全稳定运行的条件下，提出IGBT精细化选型方案，显著降低换流站平台的重量、体积及建设成本，有利于柔性直流输电系统的平价化、轻型化发展。

摘要： 本发明涉及一种可调安全工作区的功率器件，包括漏极金属，在漏极金属上设有第一导电类型硅衬底，在第一导电类型硅衬底上设有第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层内设有深沟槽，在深沟槽的底部设有第二导电类型掺杂区域，深沟槽内设有第一栅极和第二栅极，第一栅极和第二栅极之间有二氧化硅隔离，第一导电类型外延层表面设有第二导电类型体区，第二导电类型体区内设有第一导电类型源极和第二导电类型源极，第一导电类型源极和第二导电类型源极表面还设有源极金属并与第一导电类型源极和第二导电类型源极相连，源极金属与第一栅极之间设有绝缘介质层隔离。本发明有效扩展了功率器件的安全工作区，并减小了其寄生二极管的反向恢复时间。