法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-23
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/336 专利申请号:2020106516936 申请公布日:20210112
发明专利申请公布后的视为撤回
机译: 在半导体中形成隔离沟槽的方法,在硅晶片的表面中形成隔离沟槽的方法,形成隔离沟槽隔离的晶体管的方法,沟槽隔离的晶体管,在半导体中形成的沟槽隔离结构,存储单元和记忆体
机译: 在半导体制造过程和半导体装置中形成浅沟槽隔离的方法,包括浅沟槽隔离
机译: 在半导体制造过程和半导体装置中形成浅沟槽隔离的方法,包括浅沟槽隔离