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具有本地互连的自对准栅极端帽(SAGE)架构

摘要

描述了具有本地互连的自对准栅极端帽(SAGE)架构以及制作具有本地互连的SAGE架构的方法。在示例中,一种集成电路结构,包括第一半导体鳍之上的第一栅极结构,以及第二半导体鳍之上的第二栅极结构。栅极端盖隔离结构在所述第一和第二半导体鳍之间,并且横向位于所述第一和第二栅极结构之间且与所述第一和第二栅极结构相接触。栅极插塞位于所述栅极端盖隔离结构之上,并且横向位于所述第一和第二栅极结构之间并与所述第一和第二栅极结构相接触。本地栅极互连位于所述栅极插塞和所述栅极端盖隔离结构之间,所述本地栅极互连与所述第一和第二栅极结构相接触。

著录项

  • 公开/公告号CN111668214A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN202010081592.X

  • 申请日2020-02-06

  • 分类号H01L27/088(20060101);H01L29/78(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人李啸;姜冰

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 08:16:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/088 专利申请号:202010081592X 申请日:20200206

    实质审查的生效

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