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公开/公告号CN111668214A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-15
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN202010081592.X
发明设计人 S.苏布拉马尼恩;W.M.哈费茨;S.戈文达拉祖;K.奇卡迪;
申请日2020-02-06
分类号H01L27/088(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人李啸;姜冰
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 08:16:01
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/088 专利申请号:202010081592X 申请日:20200206
实质审查的生效
机译: 具有栅极触点的自对准栅极端盖(SAGE)架构
机译: 具有本地互连的自对准门端盖(SAGE)体系结构
机译: 双自对准栅极端盖(SAGE)架构
机译:使用自对准互连制造技术的新型三维高密度堆叠环绕栅晶体管(S-SGT)闪存架构,无需光刻工艺即可用于太比特级及以上
机译:化学沉积自对准帽对铜互连绝缘的影响的物理研究
机译:具有浮动子栅的自对准偏置栅多晶硅TFT
机译:具有多层互连结构的0.1- / splμ/μm/ m自对准栅GaAs MESFET,用于超高速IC
机译:使用非自对准栅工艺的替代栅叠层的制造和器件表征。
机译:高速石墨烯晶体管具有以自对准的纳米线栅
机译:具有记录的高频特性的60 nm自对准栅InGaAs HEMT
机译:具有重掺杂n + -GaN欧姆接触2DEG的自对准栅GaN-HEmT。