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具有栅极接触部的自对准栅极端帽（SAGE）架构

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描述了具有栅极接触部的自对准栅极端帽（SAGE）架构以及制作具有栅极接触部的SAGE架构的方法。在示例中，一种集成电路结构，包括半导体鳍之上的栅极结构。栅极端帽隔离结构与所述栅极结构横向相邻并且相接触。沟槽接触部结构在所述半导体鳍之上，其中所述栅极端帽隔离结构与所述沟槽接触部结构横向相邻并且相接触。本地栅极到接触部互连将所述栅极结构电连接到所述沟槽接触部结构。

著录项

公开/公告号CN111668215A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-15

原文格式PDF
申请/专利权人英特尔公司;
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申请/专利号CN202010081594.9
发明设计人 S.苏布拉马尼恩;W.M.哈费茨;
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申请日2020-02-06
分类号H01L27/088(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人徐予红;姜冰
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 08:16:01

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-03-25

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/088 专利申请号:2020100815949 申请日:20200206

实质审查的生效

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外文文献

1. 具有栅极接触部的自对准栅极端帽（SAGE）架构 [P] . 中国专利： CN111668215A . 2020-09-15
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