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机译:化学沉积自对准帽对铜互连绝缘的影响的物理研究
CEA-LETI-MINATEC, 17 rue des Martyrs, F38054 Crenoble cedex 9, France;
copper interconnects; self-aligned barriers; electroless deposition; CoWP; process selectivity;
机译:用于化学镀铜的自对准金属覆盖层
机译:结合锰氧化物封装和自对准氮化硅铜氮化物阻挡层用于未来LSI互连中的铜布线的超薄势垒形成
机译:化学镀铜种子在化学沉积铜互连中的使用
机译:采用自对准金属封盖方法的坚固的深亚微米铜互连结构
机译:界面电化学和表面表征:氢封端的硅,在热解光刻胶膜上化学沉积的钯和铂,在铱上电沉积铜。
机译:色差测量方法用于评估激光诱导的选择性活化后聚合物上化学沉积铜的质量
机译:无电铜沉积沟槽沟槽沟灌效应的电化学研究