一种部分P型GaN帽层RESURF GaN基肖特基势垒二极管

摘要

本发明涉及一种部分P型GaN帽层RESURF GaN基肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：衬底层，所述衬底层上的缓冲层，所述缓冲层上的沟道层，所述沟道层上的势垒层，所述势垒层两端的阴极和复合阳极，与所述复合阳极相连且位于所述势垒层上的部分P型GaN帽层，覆盖在所述势垒层、所述部分P型GaN帽层、所述复合阳极、所述阴极上的钝化层，其中，所述沟道层与所述势垒层形成异质结，所述P型GaN帽层与所述势垒层形成PN结，所述阴极为阴极欧姆接触，所述复合阳极包括阳极欧姆接触和阳极肖特基接触。本发明实施例引入部分P型GaN帽层，并采用复合阳极，制备出具有低正向开启电压、高反向击穿电压的GaN基肖特基势垒二极管。