法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-26
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/872 申请日:20180522
实质审查的生效
2018-09-28
公开
公开
机译: 外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
机译: 用于制造GaN基外延层的单晶衬底,制造该外延层的方法,包括该GaN基外延层的LED和LD
机译: 形成GaN基氮化物层以减少蓝宝石基质与GaN基氮化物层之间晶格不匹配引起的结晶原始颗粒的方法