公开/公告号CN108546995A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-09-18
原文格式PDF
申请/专利权人 上海大学;
申请/专利号CN201810204992.8
申请日2018-03-13
分类号C30B29/48(20060101);C30B23/02(20060101);C30B23/06(20060101);C30B33/00(20060101);C30B33/02(20060101);C30B33/10(20060101);C23C14/02(20060101);C23C14/06(20060101);C23C14/24(20060101);
代理机构31205 上海上大专利事务所(普通合伙);
代理人顾勇华
地址 200444 上海市宝山区上大路99号
入库时间 2023-06-19 06:29:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-16
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/48 申请日:20180313
实质审查的生效
2018-09-18
公开
公开
机译: 与制造石墨烯的方法一样,在衬底上制造石墨烯,该衬底在石墨烯上
机译: 用石墨烯在SiC衬底上沉积石墨烯的方法以及用石墨烯沉积SiC衬底的方法
机译: 用于屏蔽电磁辐射以屏蔽电磁辐射的结构包括石墨烯薄层和柔性衬底,其中石墨烯薄层施加在柔性衬底上并掺杂有掺杂剂