Si（100）および（111）基板に急速蒸着させたAl薄膜の配向成長

摘要

It has been believed that preferentially oriented growth of Al scarcely occurs on Si substrates in an ordinary high vacuum (10~(-3) Pa). In order to examine the effect of rapid deposition on the epitaxial growth, we try the evaporation of Al from dual sources of W baskets onto Si (100) and (111) substrates which are heated in an ordinary high vacuum. From the inspection of the Al films 100 to 200 nm in thickness by transmission electron microscopy, it is found that double - positioned {110} grains and (111) ones grow preferentially on the (100) and (111) substrates, respectively, heated at about 600 K.%適当な下地結晶に純物質を真空蒸着させると，特定方位のrn薄膜結晶が成長することがある．この現象は気相からのエピrnタキシャル（エピ）成長と呼ばれ，下地と薄膜との間には一定rnの結晶学的な方位関係が成立する．そのような配向成長に影rn響を与える要因は，下地結晶と蒸着物質における格子間隔のrn不一致度（ミスフィット），下地表面の清浄度あるいは雰囲気rn（真空度），蒸着速度，下地温度などである．