一种CMP抛光液及其在GaAs晶片抛光中的应用

摘要

本发明涉及一种CMP抛光液及其在GaAs晶片抛光中的应用，每100重量份的抛光液中，包括磨料0.1～50份、表面活性剂0.001～0.4份、成膜剂0.001～0.6份、pH值调节剂0.05～10份、抛光促进剂0.01～4份、余量为去离子水；抛光液pH值范围为9.5～12.5。采用本发明的抛光液对GaAs晶片进行抛光，可以使抛光去除速率、抛光后的晶片表面粗糙度和平整度等各项性能指标都能达到更为满意的要求，且易于清洗，不会腐蚀设备，不会引入有害金属离子。本发明的抛光液可以长时间连续循环使用6～10小时。在循环期间，抛光液的抛光去除速率、抛光后的晶片表面粗糙度和平整度等各项性能指标均保持稳定，极大地节约了资源，降低了抛光液的使用成本。