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柯红阳; 葛运滨;
国家知识产权局专利局专利审查协作四川中心;
化学机械抛光; 抛光液; CeO2磨料;
机译:浅沟槽隔离化学机械抛光(STI-CMP)后二氧化铈磨料研磨过程中添加分散剂对光点缺陷(LPD)形成的影响
机译:CeO2磨料尺寸对STI-CMP中凹陷和氧化硅膜台阶高度减小的影响
机译:机床:磨料颗粒加工技术-半导体器件工艺中CMP技术的发展趋势
机译:CMP过程中的磨料颗粒轨迹和材料去除不均匀性以及CMP浆料的过滤特性-模拟和实验研究。
机译:不锈钢304(SS304)流化床化学机械抛光(FB-CMP)工艺初步研究(SS304)
机译:通过现场实时测量技术进行化学机械抛光(CMP)中铜化学动力学的研究
机译:采用化学机械抛光(Cmp)和热氧化的纳米通道制造技术
机译:包含粘土和CeO2磨料颗粒的化学机械抛光(CMP)浆液以及平面化方法
机译:包含粘土和CeO2磨料颗粒的化学机械抛光(CMP)浆液以及表面平坦化的方法
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