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【24h】

CMPにおけるウェーハ·研磨パッド間スラリー流れの可視化(第3報)ウェーハ·研磨パッド間凹凸領域における循環流れの存在について

机译:CMP(第3报告)中晶片和抛光垫浆料流动的可视化关于晶片和抛光垫互换区域的循环流动的存在

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摘要

半導体デバイスの更なる高性能化を実現するために,化学的機械研磨(CMP)に高い技術的要求がなされている.そこで,研磨メカニズムを踏まえた技術開発が望まれているが,CMPの研磨メカニズムは十分に明らかになっていない.現在提案されている研磨モデルでは,ウェーハ表面への砥粒の輸送やウェーハ表面での砥粒の運動,入替えが重要な要素と考えられ,これらにスラリー流れが大きく影響しているものと推測される.しかし,パッド上のマクロなスラリー流れの研究は進められているが,ウェーハとパッド表面の微細な隙間のスラリー流れを詳細に研究した例はほとhどない.この点に着目して,本研究ではこの微細隙間におけるスラリー流れの可視化観察を試みている.第1報では,研磨パッド表面を拡大した可視化模型を作製し,流れの相似則を利用して模擬的なスラリー流れを発生させ可視化する手法を提案し報告した.第2報では,研磨パッドの凸部の上流で下降流が,下流で上昇流が存在することを確認した.第3報では,本方法により観察されたウェーハ·研磨パッド間凹凸領域の循環流れについて報告する.
机译:已经对化学机械抛光(CMP)进行了高的技术要求,以实现半导体器件的进一步高性能。因此,需要基于抛光机制的技术开发,但是CMP的抛光机理不充分揭示。在目前提出的抛光模型中,它被认为是磨料表面上的磨料颗粒的运输和晶片表面上的磨粒的运动,并且浆料流动受到显着影响。NS。然而,尽管在垫上的宏浆料流动的研究是前进的,但是没有示例,其中晶片与垫表面之间的微间隙的浆料流动的实施例详细描述。专注于这一点,这项研究试图观察这种微扑相中的浆液流动。在第一报告中,我们提出并报告了一种用于制造扩展抛光垫表面并使用流动的类似规律的可视化模型的技术,以及产生和可视化模拟浆料流的方法。在第二个报告中,确认下流是抛光垫的凸部的上游,并且上游流动下游存在。报道了第三次报告关于本方法观察到的晶片和抛光垫的循环流程和抛光垫中间的循环流程。

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