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cmp procedures for the implementation of the second polierschrittes in kupferlagen with oxidant free polierflu00fcssigkeit

机译:使用无氧化剂的抛光液在铜层中执行第二抛光步骤的cmp程序

摘要

A polishing fluid for second step barrier removal polishing in copper CMP that contains no oxidizing agent, an organic acid, an abrasive and optionally, a copper corrosion inhibitor shows a high selectivity of barrier to metal and barrier to insulating layer.
机译:不包含氧化剂,有机酸,磨料和任选的铜腐蚀抑制剂的用于在铜CMP中进行第二步去除阻挡层的抛光的抛光液显示出对金属的阻挡层和对绝缘层的阻挡层的高选择性。

著录项

  • 公开/公告号DE602004008006D1

    专利类型

  • 公开/公告日2007-09-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利号DE20046008006T

  • 发明设计人 BIAN JINRU;

    申请日2004-10-09

  • 分类号B24B37/00;C09G1/02;B24B37/04;C09K3/14;H01L21/304;H01L21/321;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 20:28:06

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