首页> 中国专利> 在铜CMP中采用不包含氧化剂的抛光流体的第二步骤抛光方法

在铜CMP中采用不包含氧化剂的抛光流体的第二步骤抛光方法

摘要

在铜CMP中用于第二步骤屏蔽物脱除抛光的抛光流体,该抛光流体不包含氧化剂、包含有机酸、磨粒,和非必要地铜缓蚀剂,其显示出屏蔽物对金属和屏蔽物对绝缘层的高选择性。

著录项

  • 公开/公告号CN1610072A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-04-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司;

    申请/专利号CN200410087078.8

  • 发明设计人 卞锦儒;

    申请日2004-10-22

  • 分类号H01L21/304;H01L21/321;C09K3/14;C09G1/02;B24B1/00;B24B7/22;B24B37/00;

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人邓毅

  • 地址 美国特拉华

  • 入库时间 2023-12-17 16:08:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-02-02

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/304 授权公告日:20080611 终止日期:20091123 申请日:20041022

    专利权的终止

  • 2008-06-11

    授权

    授权

  • 2006-02-15

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-04-27

    公开

    公开

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