CMP中碱性抛光液抑制GLSI铜钴阻挡层电偶腐蚀的应用

摘要

本发明涉及一种CMP中碱性抛光液抑制GLSI铜钴阻挡层电偶腐蚀的应用，主要由水溶胶、FA/0？Ⅰ型鳌合剂、pH无机酸调节剂和复合型非离子活性剂组成的碱性抛光液，其特征是：所述复合型非离子活性剂为FA/0？Ⅰ型表面活性剂，所述FA/0？Ⅰ型表面活性剂抑制铜互连Co阻挡层的Co与Cu之间电偶腐蚀的应用。有益效果：本发明采用在碱性抛光液基础上添加复合型非离子活性剂，使得Co与Cu之间的电位差几乎为零，且界面应力得到了有效控制，CMP中应用碱性抛光液的FA/0？Ⅰ型表面活性剂使得Co与Cu之间的电偶腐蚀得到了很好的抑制。