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光学邻近校正及/或蚀刻偏差的晶圆级电性测试

摘要

本发明揭示了一种光学邻近校正及/或蚀刻偏差的晶圆级电性测试,其将具有相同电阻的三个参考电阻器与测试结构连接于具有惠斯通电桥(Wheatstone Bridge)设计的电路中。该电路电性耦接于输入端与接地端之间。在该输入端所施加的电压导致该电路的两个中点之间的电性特征差异表示对于OPC或蚀刻偏差的该测试结构的设计需要校正动作。

著录项

  • 公开/公告号CN107068580A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-08-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 格罗方德半导体公司;

    申请/专利号CN201610949332.3

  • 发明设计人 J·布拉沃;V·楚汉;R·S·史密斯;

    申请日2016-10-26

  • 分类号

  • 代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟

  • 地址 英属开曼群岛大开曼岛

  • 入库时间 2023-06-19 03:06:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-09-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20161026

    实质审查的生效

  • 2017-08-18

    公开

    公开

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